FDV301N MOSFET N-Ch Digital
♠ Deskripsi Produk
| Atribut Produk | Nilai Atribut |
| Produsen: | onsemi |
| Kategori produk: | MOSFET |
| RoHS: | Rincian |
| Teknologi: | Si |
| Gaya Pemasangan: | SMD/SMT |
| Paket / Case: | SOT-23-3 |
| Transistor Polaritas: | N-Saluran |
| Jumlah Saluran: | 1 Saluran |
| Vds - Tegangan Pecah Sumber Saluran: | 25 V |
| Id - Arus Saluran Terus-terusan: | 220 mA |
| Rds On - Ketahanan Sumber Saluran: | 5 ohm |
| Vgs - Tegangan Sumber Gerbang: | - 8 V, + 8 V |
| Vgs th - Tegangan Ambang Sumber Gerbang: | 700 mV |
| Qg - Gate Charge: | 700 pC |
| Suhu Operasi Minimal: | - 55 C |
| Suhu operasi maksimum: | + 150 C |
| Pd - Dissipasi Daya: | 350 mW |
| Mode saluran: | Peningkatan |
| Packaging: | Reel |
| Packaging: | Potong Tape |
| Packaging: | MouseReel |
| Merk: | onsemi / Fairchild |
| Konfigurasi: | Tunggal |
| Wektu musim gugur: | 6 ns |
| Transkonduktansi Maju - Min: | 0.2 S |
| Dhuwur: | 1,2 mm |
| dawa: | 2,9 mm |
| produk: | MOSFET Sinyal Cilik |
| Tipe produk: | MOSFET |
| Wektu munggah: | 6 ns |
| Seri: | FDV301N |
| Jumlah Paket Pabrik: | 3000 |
| Subkategori: | MOSFET |
| Tipe Transistor: | 1 Saluran N |
| Tipe: | FET |
| Wektu Tundha Pateni Biasa: | 3,5 ns |
| Wektu Tundha Aktifake Biasa: | 3.2 ns |
| Jembar: | 1,3 mm |
| Bagian # Alias: | FDV301N_NL |
| Bobot Unit: | 0,000282 oz |
♠ Digital FET, N-Channel FDV301N, FDV301N-F169
Transistor efek lapangan mode peningkatan level logika N-Channel iki diprodhuksi nggunakake teknologi DMOS proprietary onsemi, kapadhetan sel dhuwur.Proses kapadhetan sing dhuwur banget iki khusus dirancang kanggo nyuda resistensi ing negara.Piranti iki wis dirancang khusus kanggo aplikasi voltase kurang minangka panggantos kanggo transistor digital.Amarga resistor bias ora dibutuhake, FET saluran N iki bisa ngganti sawetara transistor digital sing beda, kanthi nilai resistor bias sing beda.
• 25 V, 0,22 A Terus-terusan, 0,5 A Puncak
♦ RDS(on) = 5 @ VGS = 2,7 V
♦ RDS(on) = 4 @ VGS = 4,5 V
• Requirements Drive Gate Level Banget Ngidini Operasi Langsung ing 3 Sirkuit V.VGS(th) < 1,06 V
• Gate−Sumber Zener kanggo ESD Ruggedness.> 6 kV Model Awak Manungsa
• Ganti Multiple NPN Digital Transistor karo siji DMOS FET
• Piranti iki Pb−Free lan Halide Free
