SI1029X-T1-GE3 MOSFET 60V Vds 20V Vgs SC89-6 N&P PASANGAN
♠ Deskripsi Produk
Atribut Produk | Nilai Atribut |
Produsen: | Wishay |
Kategori produk: | MOSFET |
RoHS: | Rincian |
Teknologi: | Si |
Gaya Pemasangan: | SMD/SMT |
Paket/Kasus: | SC-89-6 |
Transistor Polaritas: | N-Saluran, P-Saluran |
Jumlah Saluran: | 2 Saluran |
Vds - Tegangan Pecah Sumber Saluran: | 60 V |
Id - Arus Saluran Terus-terusan: | 500 mA |
Rds On - Ketahanan Sumber Saluran: | 1.4 ohm, 4 ohm |
Vgs - Tegangan Sumber Gerbang: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Tegangan Ambang Sumber Gerbang: | 1 V |
Qg - Gate Charge: | 750 pC, 1,7 nC |
Suhu Operasi Minimal: | - 55 C |
Suhu operasi maksimum: | + 150 C |
Pd - Dissipasi Daya: | 280 mW |
Mode saluran: | Peningkatan |
Jeneng dagang: | TrenchFET |
Packaging: | Reel |
Packaging: | Potong Tape |
Packaging: | MouseReel |
Merk: | Vishay Semikonduktor |
Konfigurasi: | Dwi |
Transkonduktansi Maju - Min: | 200 mS, 100 mS |
Dhuwur: | 0,6 mm |
dawa: | 1,66 mm |
Tipe produk: | MOSFET |
Seri: | SI1 |
Jumlah Paket Pabrik: | 3000 |
Subkategori: | MOSFET |
Tipe Transistor: | 1 Saluran N, 1 Saluran P |
Wektu Tundha Pateni Biasa: | 20 ns, 35 ns |
Wektu Tundha Aktifake Biasa: | 15 ns, 20 ns |
Jembar: | 1,2 mm |
Bagian # Alias: | SI1029X-GE3 |
Bobot Unit: | 32 mg |
• Halogen-free Miturut IEC 61249-2-21 Definition
• TrenchFET® Power MOSFETs
• Jejak cilik banget
• Ngalih Dhuwur-Side
• Kurang On-Resistant:
N-Saluran, 1.40 Ω
Saluran P, 4 Ω
• Ambang Low: ± 2 V (tipe)
• Kacepetan Ngalih Cepet: 15 ns (typ.)
• Gate-Sumber ESD Protected: 2000 V
• Selaras karo RoHS Directive 2002/95/EC
• Ganti Transistor Digital, Level-Shifter
• Sistem Operasi baterei
• Power Supply Konverter Circuits