| Atribut Produk | Nilai Atribut |
| Produsen: | IXYS |
| Kategori produk: | MOSFET |
| Teknologi: | Si |
| Gaya Pemasangan: | SMD/SMT |
| Paket / Case: | TO-263-3 |
| Transistor Polaritas: | N-Saluran |
| Jumlah Saluran: | 1 Saluran |
| Vds - Tegangan Pecah Sumber Saluran: | 650 V |
| Id - Arus Saluran Terus-terusan: | 22 A |
| Rds On - Ketahanan Sumber Saluran: | 160mohm |
| Vgs - Tegangan Sumber Gerbang: | - 30 V, + 30 V |
| Vgs th - Tegangan Ambang Sumber Gerbang: | 2.7 V |
| Qg - Gate Charge: | 38 nC |
| Suhu Operasi Minimal: | - 55 C |
| Suhu operasi maksimum: | + 150 C |
| Pd - Dissipasi Daya: | 360 W |
| Mode saluran: | Peningkatan |
| Jeneng dagang: | HiPerFET |
| Packaging: | tabung |
| Merk: | IXYS |
| Konfigurasi: | Tunggal |
| Wektu musim gugur: | 10 ns |
| Transkonduktansi Maju - Min: | 8 S |
| Tipe produk: | MOSFET |
| Wektu munggah: | 35 ns |
| Seri: | 650V Ultra Junction X2 |
| Jumlah Paket Pabrik: | 50 |
| Subkategori: | MOSFET |
| Wektu Tundha Pateni Biasa: | 33 ns |
| Wektu Tundha Aktifake Biasa: | 38 ns |
| Bobot Unit: | 0,139332 oz |
